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  • 檢索結果:共5筆資料 檢索策略: "Shyan-Kay Jou".ecommittee (精準) and ckeyword.raw="氫化非晶矽"


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    低溫鋁擴散於氫化非晶矽層形成p型膜層及氫化氮化矽應用於矽晶片鈍化之研究
    • 化學工程系 /98/ 碩士
    • 研究生: 徐俊硯 指導教授: 洪儒生
    • 本論文第一部分探討金屬鋁層與氫化非晶矽層接合後, 在低溫下鋁擴散進入非晶矽層形成 p 型膜的現象。研究發現, 當擴散溫度 200℃、擴散時間大於 30 分鐘,p 型膜層呈現微 晶化的結構,其導電率可…
    • 點閱:319下載:0
    • 全文公開日期 2015/07/30 (校內網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (校外網路)
    • 全文公開日期 本全文未授權公開 (國家圖書館:臺灣博碩士論文系統)

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    電漿沉積氫化非晶矽/鍺薄膜於單晶矽/鍺晶片上的磊晶臨界溫度之研究
    • 化學工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 陳林震 指導教授: 洪儒生
    • 本論文乃以未來世代高效矽晶太陽能電池的技術發展為議題,針對矽 晶以及鍺晶可能製作矽、鍺異質接合,分別以射頻電漿輔助化學氣相沉積法將氫化非晶矽及氫化非晶鍺薄膜沉積於鍺晶及矽晶上,以反射式電子高能…
    • 點閱:310下載:1

    3

    低溫鋁誘發及自組裝單分子膜輔助成長多晶矽薄膜-3-胺基丙基三乙氧基矽烷效應之研究
    • 化學工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 林楷翔 指導教授: 戴龑
    • 本研究為在低溫製程下試圖將非晶矽轉換成多晶矽,多晶矽薄膜的形成方式眾多,直接沉積型的有化學氣相沉積法,或是再結晶型的包含固相結晶法、準分子雷射在結晶法、鋁誘發法等等,但大多都需要搭配高溫的製程。為了…
    • 點閱:265下載:1

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    大面積射頻電漿輔助化學氣相沉積系統製備氫化非晶矽膜作為矽晶鈍化層之研究
    • 化學工程系 /105/ 碩士
    • 研究生: 廖苡良 指導教授: 洪儒生
    • 本研究係在以較大面積(20×20 cm2)之射頻電漿輔助化學氣相沉積系統中,通入矽甲烷原料以不同製程條件於單晶矽表面沉積氫化非晶矽形成異質接合結構。研究重點在探究在此一沉積系統中氫化晶矽的鍍…
    • 點閱:335下載:2

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    脈衝高頻電漿輔助化學氣相沉積氫化非晶矽膜作為矽晶鈍化層之研究
    • 化學工程系 /104/ 碩士
    • 研究生: 簡郡輝 指導教授: 洪儒生
    • 本論文主要目的在探討使用矽甲烷為原料的高頻電漿輔助化學氣相沉積輔以不同製程方式來製備氫化非晶矽薄膜於單晶矽晶片上形成異質接合。研究重點在利用高頻電漿並輔以脈衝調變的技術,找出缺陷最少的氫化非晶矽長膜…
    • 點閱:688下載:4
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